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1N5550

更新时间： 2024-09-18 06:16:39
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON /
页数 文件大小 规格书
3页 144K
描述
HIGH CURRENT AXIAL LEAD RECTIFIERS : 200-1000 VOLT, 3.0 AMP, 2000 NANOSECOND RECTIFIER

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1N5550 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：AXIAL DIODE
包装说明：AXIAL PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.08
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.2 V
JESD-30 代码：O-XALF-W2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向电流：1 µA最大反向恢复时间：2 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1N5550 数据手册

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1N5550/US  
1N5551/US  
1N5552/US  
1N5553/US  
1N5554/US  
SENSITRON  
_____  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 126, REV E  
JAN  
JANTX  
JANTXV  
HIGH CURRENT AXIAL LEAD RECTIFIERS  
DESCRIPTION: 200-1000 VOLT, 3.0 AMP, 2000 NANOSECOND RECTIFIER  
-Suffix “US” denotes melf/surface mount packaging  
MAX. RATINGS / ELECTRICAL CHARACTERISTICS All ratings are at TA = 25oC unless otherwise specified.  
RATING  
CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
Peak Inverse Voltage  
(PIV)  
1N5550  
1N5551  
1N5552  
-
-
-
Vdc  
200  
400  
600  
800  
1000  
1N5553  
1N5554  
Average DC Output  
Current (Io)  
TA = +55oC  
-
-
-
-
3.0  
Amps  
Peak Single Cycle Surge  
Current (Ifsm)  
tp = 8.3 ms Single  
Half Cycle Sine  
Wave,  
150  
Amps(pk)  
Superimposed On  
Rated Load  
Operating and Storage  
Temp. (Top & Tstg)  
Maximum Forward  
Voltage (Vf)  
1N5550  
1N5551  
1N5552  
1N5553  
1N5554  
-
-65  
-
-
-
+175  
°C  
Volts  
If = 9.0A (300 µsec  
pulse, duty cycle <  
2%)  
1.2  
1.2  
1.2  
1.3  
1.3  
µAmps  
Maximum Instantaneous  
Reverse Current At Rated  
(PIV)  
-
-
-
-
1.0  
75  
TA = 25° C  
TA = 100° C  
Reverse Recovery Time  
(trr)  
If = 0.5A, Ir = 1.0A, Irr  
= 0.25A  
2000  
22  
nsec  
Junction to Lead  
d = 0.375”  
Thermal Resistance (θJL)  
°C/W  
Junction to Endcap  
-
-
11  
Thermal Resistance (θJEC  
)
° C/W  
• 221 West Industry Court ꢀ Deer Park, NY 11729 ꢀ (631) 586 7600, FAX (631) 242 9798 •  
• World Wide Web - www.sensitron.com • E-mail Address - sales@sensitron.com •  
123

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1N5550 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JAN1N5550 SEMTECH

功能相似

 Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED,
3SM2 SEMTECH

功能相似

 Axial Leaded Hermetically Sealed Standard Recovery Rectifier Diode

与1N5550相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5550/54 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 200V V(RRM),
1N5550_08 SENSITRON

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 		HIGH CURRENT AXIAL LEAD RECTIFIERS
1N5550_08 SEMTECH

获取价格

 		Axial Leaded Hermetically Sealed Standard Recovery Rectifier Diode
1N5550-1 MICROSEMI

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 		RECTIFIERS
1N5550D3A SEME-LAB

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 		POWER RECTIFIER DIODE
1N5550D3B SEME-LAB

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 		POWER RECTIFIER DIODE
1N5550R MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, Silicon,
1N5550TRLEADFREE CENTRAL

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon,
1N5550US SENSITRON

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 		HIGH CURRENT AXIAL LEAD RECTIFIERS : 200-1000 VOLT, 3.0 AMP, 2000 NANOSECOND RECTIFIER
1N5550US MICROSEMI

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 		VOIDLESS HERMITICALLY SEALED SURFACE MOUNT STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS

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