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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-MELF-N2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.7 |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V |
| JESD-30 代码： | O-MELF-N2 | 最大非重复峰值正向电流： | 150 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 3 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大反向电流： | 1 µA |
| 最大反向恢复时间： | 2 µs | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1N5551BK | CENTRAL | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, |
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| 1N5551TR | CENTRAL | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, |
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| 1N5551US | SEMTECH | Surface Mount Hermetically Sealed Standard Recovery Rectifier Diode |
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| 1N5551US | SENSITRON | HIGH CURRENT AXIAL LEAD RECTIFIERS : 200-1000 VOLT, 3.0 AMP, 2000 NANOSECOND RECTIFIER |
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| 1N5551US | MICROSEMI | VOIDLESS HERMITICALLY SEALED SURFACE MOUNT STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
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| 1N5551USE3 | MICROSEMI | Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, |
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