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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | E-PALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.47 |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | E-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大非重复峰值正向电流： | 100 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 3 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ELLIPTICAL |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 200 V |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN (315) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5550US | SENSITRON |
获取价格 |
HIGH CURRENT AXIAL LEAD RECTIFIERS : 200-1000 VOLT, 3.0 AMP, 2000 NANOSECOND RECTIFIER |
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| 1N5550US | MICROSEMI |
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VOIDLESS HERMITICALLY SEALED SURFACE MOUNT STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
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| 1N5550US | SEMTECH |
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Surface Mount Hermetically Sealed Standard Recovery Rectifier Diode |
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| 1N5550USE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, |
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| 1N5550USS | SENSITRON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, |
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| 1N5550USV | SENSITRON |
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暂无描述 |
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| 1N5550USX | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, |
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| 1N5550X | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, |
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| 1N5551 | SEMTECH |
获取价格 |
Axial Leaded Hermetically Sealed Standard Recovery Rectifier Diode |
|
| 1N5551 | SENSITRON |
获取价格 |
HIGH CURRENT AXIAL LEAD RECTIFIERS : 200-1000 VOLT, 3.0 AMP, 2000 NANOSECOND RECTIFIER |
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