1N5550US

更新时间： 2024-09-18 07:20:31

品牌	Logo	应用领域
商升特 - SEMTECH		整流二极管局域网
页数	文件大小	规格书
4页	126K
描述
Surface Mount Hermetically Sealed Standard Recovery Rectifier Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

1N5550US 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	HERMETIC SEALED PACKAGE-2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.22	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JESD-30 代码：	O-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向恢复时间：	2 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	Base Number Matches：	1

1N5550US 数据手册

1N5550US THRU 1N5554US

Surface Mount Hermetically Sealed

Standard Recovery Rectifier Diode

POWER DISCRETES

Description

Features

Quick reference data

u Low reverse leakage current

u Hermetically sealed in fused metal oxide

u Good thermal shock resistance

u Low forward voltage drop

V_R= 200 - 1000V

I_F

5.0A

t_rr= 2µS

V_F= 1.0V

u Avalanche capability

These products are qualified to MIL-PRF-19500/420.

They can be supplied fully released as JAN, JANTX,

and JANTXV versions.

Absolute Maximum Ratings

Electrical specifications @ T_A= 25°C unless otherwise specified.

1N5550US 1N5551US 1N5552US 1N5553US 1N5554US

Symbol

Units

Working Reverse Voltage

V_RWM

200

400

600

5.0

800

1000

Average Forward Current

@55 °C in free air, lead length

0.375"

I_F(AV)

Repetitive Surge Current

@55 °C in free air, lead length

0.375"

I_FRM

Non-Repetitive Surge Current

(tp = 8.3mS @ V_R& T_JMAX

(tp = 8.3mS, @ V_R& 25 °C)

)

I_FSM

100

150

Storage Temperature Range

T_STG

-65 to +175

°C

Revision: August 22nd, 2011

www.semtech.com

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与1N5550US相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N5550USE3	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT,
1N5550USS	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon,
1N5550USV	SENSITRON	获取价格	暂无描述
1N5550USX	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon,
1N5550X	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon,
1N5551	SEMTECH	获取价格	Axial Leaded Hermetically Sealed Standard Recovery Rectifier Diode
1N5551	SENSITRON	获取价格	HIGH CURRENT AXIAL LEAD RECTIFIERS : 200-1000 VOLT, 3.0 AMP, 2000 NANOSECOND RECTIFIER
1N5551	NJSEMI	获取价格	RECTIFIERS
1N5551	MICROSEMI	获取价格	RECTIFIERS MILITARY APPROVED, 5 AMP, GENERAL PURPOSE
1N5551	VISHAY	获取价格	GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER