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1N5550US

更新时间： 2024-09-18 06:16:39
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 144K
描述
HIGH CURRENT AXIAL LEAD RECTIFIERS : 200-1000 VOLT, 3.0 AMP, 2000 NANOSECOND RECTIFIER

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1N5550US 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：MELF
包装说明：O-LELF-R2针数：2
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：1.44应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.2 VJESD-30 代码：O-LELF-R2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向电流：1 µA
最大反向恢复时间：2 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

1N5550US 数据手册

 浏览型号1N5550US的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N5550US的Datasheet PDF文件第3页 
1N5550/US  
1N5551/US  
1N5552/US  
1N5553/US  
1N5554/US  
SENSITRON  
_____  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 126, REV E  
JAN  
JANTX  
JANTXV  
HIGH CURRENT AXIAL LEAD RECTIFIERS  
DESCRIPTION: 200-1000 VOLT, 3.0 AMP, 2000 NANOSECOND RECTIFIER  
-Suffix “US” denotes melf/surface mount packaging  
MAX. RATINGS / ELECTRICAL CHARACTERISTICS All ratings are at TA = 25oC unless otherwise specified.  
RATING  
CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
Peak Inverse Voltage  
(PIV)  
1N5550  
1N5551  
1N5552  
-
-
-
Vdc  
200  
400  
600  
800  
1000  
1N5553  
1N5554  
Average DC Output  
Current (Io)  
TA = +55oC  
-
-
-
-
3.0  
Amps  
Peak Single Cycle Surge  
Current (Ifsm)  
tp = 8.3 ms Single  
Half Cycle Sine  
Wave,  
150  
Amps(pk)  
Superimposed On  
Rated Load  
Operating and Storage  
Temp. (Top & Tstg)  
Maximum Forward  
Voltage (Vf)  
1N5550  
1N5551  
1N5552  
1N5553  
1N5554  
-
-65  
-
-
-
+175  
°C  
Volts  
If = 9.0A (300 µsec  
pulse, duty cycle <  
2%)  
1.2  
1.2  
1.2  
1.3  
1.3  
µAmps  
Maximum Instantaneous  
Reverse Current At Rated  
(PIV)  
-
-
-
-
1.0  
75  
TA = 25° C  
TA = 100° C  
Reverse Recovery Time  
(trr)  
If = 0.5A, Ir = 1.0A, Irr  
= 0.25A  
2000  
22  
nsec  
Junction to Lead  
d = 0.375”  
Thermal Resistance (θJL)  
°C/W  
Junction to Endcap  
-
-
11  
Thermal Resistance (θJEC  
)
° C/W  
• 221 West Industry Court ꢀ Deer Park, NY 11729 ꢀ (631) 586 7600, FAX (631) 242 9798 •  
• World Wide Web - www.sensitron.com • E-mail Address - sales@sensitron.com •  
123

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1N5550US 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JAN1N5550US SENSITRON

功能相似

 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, MELF-B, 2 PIN
JANTXV1N5550US SENSITRON

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5550USE3 MICROSEMI

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1N5550USS SENSITRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon,
1N5550USV SENSITRON

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 		暂无描述
1N5550USX SENSITRON

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1N5550X SENSITRON

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 		GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER

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