是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.15 | 应用: | FAST RECOVERY |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | E-PALF-W2 | JESD-609代码: | e0 |
最大非重复峰值正向电流: | 80 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 2 |
最大输出电流: | 3 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | ELLIPTICAL | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 600 V | 最大反向恢复时间: | 0.4 µs |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N5190US | MICROSEMI |
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VOIDLESS-HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS | |
1N5194 | CDI-DIODE |
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GENERAL PURPOSE SILICON DIODES | |
1N5194 | MICROSEMI |
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GENERAL PURPOSE SILICON DIODES | |
1N5194 | NJSEMI |
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Diode Switching 70V 0.2A 2-Pin DO-35 | |
1N5194E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 80V V(RRM), Silicon, DO-35, | |
1N5194R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 80V V(RRM), Silicon, | |
1N5194UR | CDI-DIODE |
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GENERAL PURPOSE SILICON DIODES | |
1N5194UR | MICROSEMI |
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LL-35 High Voltage / Current Low Leakage Glass Diodes | |
1N5194UR_08 | MICROSEMI |
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SWITCHING DIODE | |
1N5194URE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |