是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | DO-213AA | 包装说明: | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.70 |
风险等级: | 5.26 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码: | DO-213AA |
JESD-30 代码: | O-LELF-R2 | JESD-609代码: | e0 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最大输出电流: | 0.2 A |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散: | 0.5 W | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | WRAP AROUND | 端子位置: | END |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N5195UR_08 | MICROSEMI |
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SWITCHING DIODE | |
1N5195X | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, | |
1N5196 | MICROSEMI |
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SWITCHING DIODE | |
1N5196 | CDI-DIODE |
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GENERAL PURPOSE SILICON DIODES | |
1N5196 | NJSEMI |
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Diode Switching 225V 0.2A 2-Pin DO-35 | |
1N5196E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 | |
1N5196UR | MICROSEMI |
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LL-35 High Voltage / Current Low Leakage Glass Diodes | |
1N5196UR | CDI-DIODE |
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GENERAL PURPOSE SILICON DIODES | |
1N5196UR_08 | MICROSEMI |
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SWITCHING DIODE | |
1N5196URE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |