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1N5196URE3

更新时间： 2024-09-26 14:46:43

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美高森美 - MICROSEMI		二极管
页数	文件大小	规格书
1页	35K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

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1N5196URE3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.7
其他特性：	METALLURGICALLY BONDED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-213AA
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.5 W
表面贴装：	YES	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	Base Number Matches：	1

1N5196URE3 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

SWITCHING DIODE

– METALLURGICALLY BONDED

– HERMETICALLY SEALED

– DOUBLE PLUG CONSTRUCTION

Qualified per MIL-PRF-19500/118

DEVICES

QUALIFIED LEVELS

JAN

1N5196UR

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATING AT 25°C

.016" - .022"

.41mm - .55mm

Operating Temperature:

Storage Temperature:

-65°C to +175°C

Surge Current, sine, 8.3mS:

Total Power Dissipation, 25°C:

Max. Operating Current, 25°C:

D.C. Reverse Voltage (VRWM):

500mW

200mA

225V

.063" - .067"

1.60mm - 1.70mm

DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

V_F

I_R

.130" - .146"

3.30mm - 3.70mm

Ambient

(°C)

I_F

Min

Max

Ambient

(°C)

Min

µA

Max

µA

V (dc)

225

100

0.8

1.0

1.2

0.025

1.0

-55

250

150

225

5.0

MIN .001"

.03mm

DESIGN DATA

Case: Hermetically sealed glass package per

MIL-PRF-19500/118 DO-213AA outline

Lead Material: Copper clad steel

Lead Finish: Tin / Lead

Thermal Impedance (Z_θJX): 70°C/W maximum

Polarity: Cathode end is banded

LDS-0036 Rev. 1 (072072)

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