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1N5221

更新时间: 2024-11-14 22:34:59
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美高森美 - MICROSEMI 稳压二极管测试
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3页 104K
描述
SILICON 500 mW ZENER DIODES

1N5221 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-35
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.9
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-204AHJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.48 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:2.4 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:20%工作测试电流:20 mA

1N5221 数据手册

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