生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.68 | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1 V |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最大输出电流: | 0.2 A |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 最大功率耗散: | 0.5 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 200 V |
最大反向电流: | 0.025 µA | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N5196 | MICROSEMI |
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SWITCHING DIODE | |
1N5196 | CDI-DIODE |
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GENERAL PURPOSE SILICON DIODES | |
1N5196 | NJSEMI |
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Diode Switching 225V 0.2A 2-Pin DO-35 | |
1N5196E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 | |
1N5196UR | MICROSEMI |
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LL-35 High Voltage / Current Low Leakage Glass Diodes | |
1N5196UR | CDI-DIODE |
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GENERAL PURPOSE SILICON DIODES | |
1N5196UR_08 | MICROSEMI |
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SWITCHING DIODE | |
1N5196URE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 | |
1N5198 | SSDI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, | |
1N5199 | NJSEMI |
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SI RECTIFIER |