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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1N5196
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1N5196

更新时间： 2024-09-23 03:54:47
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 整流二极管开关
页数 文件大小 规格书
1页 94K
描述
SWITCHING DIODE

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1N5196 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active包装说明：HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.3
Is Samacsys：N其他特性：METALLURGICALLY BONDED
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-35JESD-30 代码：O-LALF-W2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最大输出电流：0.1 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.5 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1N5196 数据手册

  
FEATURES  
•
•
•
•
•
1N5194 AVAILABLE IN JAN, JANTX, AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/118  
SWITCHING DIODE  
METALLURGICALLY BONDED  
HERMETICALLY SEALED  
DOUBLE PLUG CONSTRUCTION  
1N5194  
MAXIMUM RATINGS AT 25 °C  
Operating Temperature:  
Storage Temperature:  
-65°C to +175°C  
-65°C to +175°C  
2A  
500mW  
3mW/°C  
200mA  
1.2mA/°C above TA= +25°C  
Surge Current, sine, 8.3mS:  
Total Power Dissipation, 25°C:  
Power Derating Factor, 25°C:  
Max. Operating Current, 25°C:  
Derating Factor:  
Max. Operating Current, 150°C:  
Derating Factor:  
D.C. Reverse Voltage (VRWM):  
50mA  
1.0mA/°C above TA= +150°C  
70V  
DESIGN DATA  
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
VF  
IR  
Case: Hermetically sealed glass package per MIL-  
PRF-19500/118 DO-35 outline  
Ambient  
Ambient  
IF  
Min  
V
Max  
V
Min  
µA  
Max  
µA  
mA  
V (dc)  
(°C)  
(°C)  
25  
-55  
100  
100  
0.8  
-
1.0  
1.2  
25  
25  
150  
70  
80  
70  
-
-
-
0.025  
100  
5.0  
Lead Material: Copper clad steel  
Lead Finish: Tin/Lead  
Thermal Impedance (ZθJX): 70°C/W maximum  
Marking: Blue body coat, black digits  
Polarity: Cathode end is banded  
IRELAND - GORT ROAD, ENNIS, CO. CLARE  
PHONE:  
TOLL FREE:  
FAX:  
+353 65 6840044  
+186 62 702434  
+353 65 6822298  
WWW.MICROSEMI.COM  
U.S.A. DOMESTIC SALES CONTACT  
PHONE:  
(617) 926 0404  
1 800 666 2999  
TOLL FREE:  
1

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1N5196 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTX1N5196 MICROSEMI

完全替代

 Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, GLASS PACKAGE-2
JAN1N5196 MICROSEMI

类似代替

 Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, GLASS PACKAGE-2
JANTXV1N5196 MICROSEMI

功能相似

 Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, GLASS PACKAGE-2

与1N5196相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5196E3 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
1N5196UR MICROSEMI

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 		LL-35 High Voltage / Current Low Leakage Glass Diodes
1N5196UR CDI-DIODE

获取价格

 		GENERAL PURPOSE SILICON DIODES
1N5196UR_08 MICROSEMI

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 		SWITCHING DIODE
1N5196URE3 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
1N5198 SSDI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon,
1N5199 NJSEMI

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 		SI RECTIFIER
1N52 YANGJIE

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 		Zener Diodes
1N52 DACHANG

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 		High stability and high reliability
1N52 LRC

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 		ZENER DIODES

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