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1N5196E3

更新时间： 2024-02-16 03:30:38

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美高森美 - MICROSEMI		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	41K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

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1N5196E3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.47
其他特性：	METALLURGICALLY BONDED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.5 W
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

1N5196E3 数据手册

1N5194

1N5195

1N5196

• AVAILABLE IN JAN, JANTX, AND JANTXV

PER MIL-PRF-19500/118

• GENERAL PURPOSE SILICON DIODES

• METALLURGICALLY BONDED

MAXIMUM RATINGS

Operating Temperature: -65°C to +175°C

Storage Temperature: -65°C to +175°C

Operating Current: 200 mA

Derating: 1.2 mA/°C From 25°C to 150°C

1.0 mA/°C From 150°C to 175°C

Forward Current: 650 mA

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified

TYPE

FSM

RWM

= 150°C

= 1/120 s

= 25°C

V (pk)

1N5194

1N5195

1N5196

180

250

180

225

200

FIGURE 1

DESIGN DATA

TYPE

R1 at RWM

R2 at RM

R3 at RWM

@100mA

= 25°C

= 150°C

CASE: Hermetically sealed glass

V dc

nA dc

µA

µA dc

case. DO – 35 outline.

1N5194

1N5195

1N5196

0.8 - 1.0

100

LEAD MATERIAL: Copper clad steel.

LEAD FINISH: Tin / Lead

THERMAL RESISTANCE: (R

250 °C/W maximum

OJEC

THERMAL IMPEDANCE: (Z

°C/W maximum

): 70

POLARITY: Cathode end is banded.

MOUNTING POSITION: ANY.

6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841

PHONE (978) 620-2600

FAX (781) 689-0803

WEBSITE: http://www.microsemi.com

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