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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.68 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 0.2 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 200 V |
| 最大反向电流： | 0.025 µA | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTX1N5195 | MICROSEMI |
完全替代  |
Rectifier Diode, |
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| JANTXV1N5195 | MICROSEMI |
功能相似 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, |
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| JAN1N5195 | MICROSEMI |
功能相似 |
Rectifier Diode, |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5195UR | MICROSEMI |
获取价格 |
LL-35 High Voltage / Current Low Leakage Glass Diodes |
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| 1N5195UR | CDI-DIODE |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE SILICON DIODES |
|
| 1N5195UR_08 | MICROSEMI |
获取价格 |
SWITCHING DIODE |
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| 1N5195X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N5196 | MICROSEMI |
获取价格 |
SWITCHING DIODE |
|
| 1N5196 | CDI-DIODE |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE SILICON DIODES |
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| 1N5196 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 225V 0.2A 2-Pin DO-35 |
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| 1N5196E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
|
| 1N5196UR | MICROSEMI |
获取价格 |
LL-35 High Voltage / Current Low Leakage Glass Diodes |
|
| 1N5196UR | CDI-DIODE |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE SILICON DIODES |
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