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1N5195

更新时间: 2024-11-14 22:37:39
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 49K
描述
GENERAL PURPOSE SILICON DIODES

1N5195 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-213AA
包装说明:GLASS, LL-35, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.29
Is Samacsys:N其他特性:METALLURGICALLY BONDED
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-213AAJESD-30 代码:O-LELF-R2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N5195 数据手册

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