5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > JANTXV1N5195
JANTXV1N5195 PDF预览

JANTXV1N5195

更新时间： 2024-02-06 13:55:14
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 57K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon,

阅读下载

中文翻译

获取价格

JANTXV1N5195 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：GLASS PACKAGE-2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.71
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-213AAJESD-30 代码：O-LELF-R2
元件数量：1端子数量：2
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
认证状态：Not Qualified参考标准：MIL-19500/118F
表面贴装：YES端子形式：WRAP AROUND
端子位置：ENDBase Number Matches：1

JANTXV1N5195 数据手册

  
1N5194UR  
thru  
LL-35 High Voltage / Current  
Low Leakage Glass Diodes  
1N5196UR  
Use Advantages  
Used in applications where the highest voltage and current performance of  
small signal devices are required.  
In instrument applications for voltage isolation, pulse clipping and glue logic.  
Ideal for use in (Medical, Military and Aero/Space).  
Features  
Six Sigma quality  
Humidity proof glass  
LL-35 MINI MELF  
Package Type DO-213AA  
Metallurgically bonded  
Thermally matched system  
No thermal fatigue  
Both End C aps  
0.10"REF  
High surge capability  
0.016-.022"  
0.41-0.55 mm  
2.54 mm REF  
Sigma Bond™ plated contacts  
100% guaranteed solderability  
Length  
Dia.  
0.13-0.146"  
.063-.067"  
3.30-3.70 mm  
1.6-1.7mm  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Ptot  
Value  
500  
Unit  
mW  
Power Dissipation at TAMB= 25 o C  
AverageForwardRectifiedCurrentatTAMB=25o C  
OperatingandStorageTemperatureRange  
Power derating at TAMB =25 oC  
IAV  
200  
mAmps  
oC  
TO&ST  
Pdr  
-55 to 200  
3.0 (Max)  
mW/oC  
Detail Specifications  
Peak  
Inverse  
Voltage Working Voltage  
(MIN.)  
@0.1 mA  
Maximum  
Reverse  
Maximum  
Average Rectified Current  
_______________  
Maximum Forward  
Maximum  
Maximum  
Surge  
Current  
(IFSM)  
Voltage  
Drop  
Reverse Leakage Current  
_______________  
(IR) @ VRWM  
(IO)  
(IO)  
@ IF = 100mA  
(VF)  
(VRMM  
)
25° C  
150° C  
25° C  
150° C  
(NOTE 1)  
Type  
Volts  
Volts  
mAmps  
mAmps  
Volt  
nA  
µA  
Amps  
1N5194  
1N5195  
80  
70  
200  
200  
50  
50  
1.0  
1.0  
25  
25  
5
5
2
2
200  
180  
1N5196  
250  
225  
200  
50  
1.0  
25  
5
2
Note 1: One half cycle, 60 Hz. sine wave.  
6 Lake Street - Lawrence, MA 01841  
Tel: 978-681-0392 - Fax: 978-681-9135  
1

中文翻译

下载PDF

JANTXV1N5195 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTX1N5195 MICROSEMI

功能相似

 Rectifier Diode,
JAN1N5195 MICROSEMI

功能相似

 Rectifier Diode,
1N5195 MICROSEMI

功能相似

 GENERAL PURPOSE SILICON DIODES

与JANTXV1N5195相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXV1N5195R MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon,
JANTXV1N5195UR MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA, GLASS PACKAGE-2
JANTXV1N5195UR CDI-DIODE

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA, GLASS PACKAGE-2
JANTXV1N5195US MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM),
JANTXV1N5196 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, GLASS PACKAGE-2
JANTXV1N5196R MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.05A, 250V V(RRM), Silicon,
JANTXV1N5196UR MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA, GLASS PACKAGE-2
JANTXV1N5196US MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM),
JANTXV1N5283 MOTOROLA

获取价格

 		0.22 mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE, DO-204AA
JANTXV1N5283-1 CDI-DIODE

获取价格

 		Current Regulator Diode, 0.22mA I(S), 1V V(L), Silicon, DO-7, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

与JANTXV1N5195相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证