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JANTXV1N5196

更新时间： 2024-11-30 14:51:43

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		二极管
页数	文件大小	规格书
1页	57K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, GLASS PACKAGE-2

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JANTXV1N5196 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-LALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.33	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/118F
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

JANTXV1N5196 数据手册

1N5194UR

thru

LL-35 High Voltage / Current

Low Leakage Glass Diodes

1N5196UR

Use Advantages

Used in applications where the highest voltage and current performance of

small signal devices are required.

In instrument applications for voltage isolation, pulse clipping and glue logic.

Ideal for use in (Medical, Military and Aero/Space).

Features

Six Sigma quality

Humidity proof glass

LL-35 MINI MELF

Package Type DO-213AA

Metallurgically bonded

Thermally matched system

No thermal fatigue

Both End C aps

0.10"REF

High surge capability

0.016-.022"

0.41-0.55 mm

2.54 mm REF

Sigma Bond™ plated contacts

100% guaranteed solderability

Length

Dia.

0.13-0.146"

.063-.067"

3.30-3.70 mm

1.6-1.7mm

Absolute Maximum Ratings

Symbol

P_tot

Value

500

Unit

Power Dissipation at T_AMB= 25 ^oC

AverageForwardRectifiedCurrentatT_AMB=25^oC

OperatingandStorageTemperatureRange

Power derating at T_AMB=25 ^oC

I_AV

200

mAmps

^oC

T_O&ST

P_dr

-55 to 200

3.0 (Max)

mW/^oC

Detail Specifications

Peak

Inverse

Voltage Working Voltage

(MIN.)

@0.1 mA

Maximum

Reverse

Maximum

Average Rectified Current

_______________

Maximum Forward

Maximum

Surge

Current

(I_FSM)

Voltage

Drop

Reverse Leakage Current

_______________

(I_R) @ V_RWM

(I_O)

@ I_F= 100mA

(V_F)

(V_RMM

)

25° C

150° C

25° C

150° C

(NOTE 1)

Type

Volts

mAmps

Volt

µA

Amps

1N5194

1N5195

200

1.0

200

180

1N5196

250

225

200

1.0

Note 1: One half cycle, 60 Hz. sine wave.

6 Lake Street - Lawrence, MA 01841

Tel: 978-681-0392 - Fax: 978-681-9135

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JANTXV1N5196 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JAN1N5196	MICROSEMI	功能相似	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, GLASS PACKAGE-2
1N5196	MICROSEMI	功能相似	SWITCHING DIODE

与JANTXV1N5196相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTXV1N5196R	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.05A, 250V V(RRM), Silicon,
JANTXV1N5196UR	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA, GLASS PACKAGE-2
JANTXV1N5196US	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM),
JANTXV1N5283	MOTOROLA	获取价格	0.22 mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE, DO-204AA
JANTXV1N5283-1	CDI-DIODE	获取价格	Current Regulator Diode, 0.22mA I(S), 1V V(L), Silicon, DO-7, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
JANTXV1N5283-1	MICROSEMI	获取价格	Current Regulator Diode, 0.22mA I(S), 1V V(L), Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN
JANTXV1N5283-1E3	MICROSEMI	获取价格	DIODE CURRENT REGULATOR DIODE, Current Regulator Diode
JANTXV1N5283UR	CDI-DIODE	获取价格	Current Regulator Diode, 0.22mA I(S), 1V V(L), Silicon, DO-213AB, HERMETIC SEALED PACKAGE-
JANTXV1N5283UR-1	MICROSEMI	获取价格	CURRENT REGULATOR DIODES
JANTXV1N5284-1	MICROSEMI	获取价格	Current Regulator Diode, 0.24mA I(S), 1V V(L), Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN

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