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JAN1N5196 PDF预览

JAN1N5196

更新时间： 2024-09-23 20:41:19
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 39K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, GLASS PACKAGE-2

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JAN1N5196 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：O-LALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.32外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-LALF-W2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/118F
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

JAN1N5196 数据手册

 浏览型号JAN1N5196的Datasheet PDF文件第2页 
1N5194  
1N5195  
1N5196  
• AVAILABLE IN JAN, JANTX, AND JANTXV  
PER MIL-PRF-19500/118  
• GENERAL PURPOSE SILICON DIODES  
• METALLURGICALLY BONDED  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -65°C to +175°C  
Storage Temperature: -65°C to +175°C  
Operating Current: 200 mA  
Derating: 1.2 mA/°C From 25°C to 150°C  
1.0 mA/°C From 150°C to 175°C  
Forward Current: 650 mA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified  
TYPE  
V
V
I
I
I
FSM  
RM  
RWM  
O
O
T
= 150°C  
T
= 1/120 s  
A
P
T
= 25°C  
A
V (pk)  
V (pk)  
mA  
mA  
A
1N5194  
1N5195  
1N5196  
80  
180  
250  
70  
180  
225  
200  
200  
200  
50  
50  
50  
2
2
2
FIGURE 1  
DESIGN DATA  
TYPE  
V
F
I
V
I
V
I
V
R1 at RWM  
R2 at RM  
R3 at RWM  
@100mA  
T
= 25°C  
T
= 25°C  
T
= 150°C  
A
A
A
CASE: Hermetically sealed glass  
V dc  
nA dc  
µA  
µA dc  
case. DO – 35 outline.  
1N5194  
1N5195  
1N5196  
0.8 - 1.0  
0.8 - 1.0  
0.8 - 1.0  
25  
25  
25  
100  
100  
100  
5
5
5
LEAD MATERIAL: Copper clad steel.  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
THERMAL RESISTANCE: (R  
250 °C/W maximum  
):  
OJEC  
THERMAL IMPEDANCE: (Z  
°C/W maximum  
): 70  
JX  
O
POLARITY: Cathode end is banded.  
MOUNTING POSITION: ANY.  
6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841  
PHONE (978) 620-2600  
FAX (781) 689-0803  
WEBSITE: http://www.microsemi.com  
57  
12

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JAN1N5196 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTX1N5196 MICROSEMI

完全替代

 Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, GLASS PACKAGE-2
1N5196 MICROSEMI

类似代替

 SWITCHING DIODE
JANTXV1N5196 MICROSEMI

功能相似

 Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, GLASS PACKAGE-2

与JAN1N5196相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN1N5196-1 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35,
JAN1N5196UR MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA, GLASS PACKAGE-2
JAN1N5196UR CDI-DIODE

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA, GLASS PACKAGE-2
JAN1N5196UR-1 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA,
JAN1N5283 MOTOROLA

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 		Current Regulator Diode, 0.22mA I(S), 1V V(L), Silicon, DO-204AA
JAN1N5283-1 MICROSEMI

获取价格

 		Current Regulator Diode, 0.22mA I(S), 1V V(L), Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN
JAN1N5283-1E3 MICROSEMI

获取价格

 		DIODE CURRENT REGULATOR DIODE, Current Regulator Diode
JAN1N5283UR CDI-DIODE

获取价格

 		Current Regulator Diode, 0.22mA I(S), 1V V(L), Silicon, DO-213AB, HERMETIC SEALED PACKAGE-
JAN1N5283UR-1 CDI-DIODE

获取价格

 		Current Regulator Diode, 0.22mA I(S), 1V V(L), Silicon, DO-213AB, HERMETIC SEALED PACKAGE-
JAN1N5283UR-1 MICROSEMI

获取价格

 		CURRENT REGULATOR DIODES

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