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JAN1N5196UR-1

更新时间: 2024-11-15 14:36:15
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 60K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA,

JAN1N5196UR-1 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.77
Is Samacsys:N其他特性:LOW LEAKAGE CURRENT
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-213AAJESD-30 代码:O-LELF-R2
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified参考标准:MIL-19500/118
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

JAN1N5196UR-1 数据手册

  

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