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JANTXV1N5195UR PDF预览

JANTXV1N5195UR

更新时间： 2024-11-30 14:51:43
品牌 Logo 应用领域
CDI-DIODE 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 33K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA, GLASS PACKAGE-2

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JANTXV1N5195UR 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：GLASS PACKAGE-2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.71
其他特性：METALLURGICALLY BONDED外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-213AA
JESD-30 代码：O-LELF-R2元件数量：1
端子数量：2最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM认证状态：Not Qualified
参考标准：MIL-19500/118F表面贴装：YES
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
Base Number Matches：1

JANTXV1N5195UR 数据手册

 浏览型号JANTXV1N5195UR的Datasheet PDF文件第2页 
1N5194UR  
1N5195UR  
1N5196UR  
CDLL5194  
CDLL5195  
CDLL5196  
• AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV  
PER MIL-PRF-19500/118  
• GENERAL PURPOSE SILICON DIODES  
• METALLURGICALLY BONDED  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -65°C to +175°C  
Storage Temperature: -65°C to +175°C  
Operating Current: 200 mA  
Derating: 1.2mA/°C from 25ºC to 150ºC  
1.0mA/°C from 150ºC to 175ºC  
Forward Current: 650mA  
MILLIMETERS  
INCHES  
DIM MIN MAX MIN MAX  
D
F
1.60  
0.41  
3.30  
1.70 0.063 0.067  
0.55 0.016 0.022  
3.70 .130 .146  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified  
G
G1  
S
2.54 REF.  
0.03 MIN.  
.100 REF.  
.001 MIN.  
V
V
I
I
I
FSM  
RM  
RWM  
O
O
TYPE  
T
= +150°C  
T
=1/120 S  
=25ºC  
A
P
T
A
V
V
mA  
mA  
A
(pk)  
(pk)  
FIGURE 1  
CDLL, 1N5194UR  
CDLL, 1N5195UR  
CDLL, 1N5196UR  
80  
180  
250  
70  
180  
225  
200  
200  
200  
50  
50  
50  
2
2
2
DESIGN DATA  
CASE: DO-213AA, Hermetically sealed  
glass case. (MELF, SOD-80, LL34)  
V
F
@100mA  
I
at V  
I
at V  
I
at V  
R1  
RWM  
R2  
T
RM  
R3  
T
RWM  
TYPE  
=25ºC  
= 150°C  
A
A
LEAD FINISH: Tin / Lead  
V dc  
nA dc  
µA  
µA dc  
CDLL, 1N5194UR  
CDLL, 1N5195UR  
CDLL, 1N5196UR  
0.8 - 1.0  
0.8 - 1.0  
0.8 - 1.0  
25  
25  
25  
100  
100  
100  
5
5
5
THERMAL RESISTANCE: (R  
100 ˚C/W maximum  
):  
OJEC  
THERMAL IMPEDANCE: (Z  
˚C/W maximum  
): 70  
OJX  
POLARITY: Cathode end is banded.  
MOUNTING POSITION: Any.  
MOUNTING SURFACE SELECTION:  
The Axial Coefficient of Expansion  
(COE) Of this Device is Approximately  
+6PPM/°C. The COE of the Mounting  
Surface System Should Be Selected To  
Provide A Suitable Match With This  
Device.  
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176  
PHONE (781) 665-1071  
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com  
FAX (781) 665-7379  
E-mail: mail@cdi-diodes.com  
12

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与JANTXV1N5195UR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXV1N5195US MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM),
JANTXV1N5196 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, GLASS PACKAGE-2
JANTXV1N5196R MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.05A, 250V V(RRM), Silicon,
JANTXV1N5196UR MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA, GLASS PACKAGE-2
JANTXV1N5196US MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM),
JANTXV1N5283 MOTOROLA

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 		0.22 mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE, DO-204AA
JANTXV1N5283-1 CDI-DIODE

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 		Current Regulator Diode, 0.22mA I(S), 1V V(L), Silicon, DO-7, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
JANTXV1N5283-1 MICROSEMI

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 		Current Regulator Diode, 0.22mA I(S), 1V V(L), Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN
JANTXV1N5283-1E3 MICROSEMI

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 		DIODE CURRENT REGULATOR DIODE, Current Regulator Diode
JANTXV1N5283UR CDI-DIODE

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 		Current Regulator Diode, 0.22mA I(S), 1V V(L), Silicon, DO-213AB, HERMETIC SEALED PACKAGE-

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