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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.29 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 0.1 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N5194 | MICROSEMI |
类似代替  |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5194E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 80V V(RRM), Silicon, DO-35, |
|
| 1N5194R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 80V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N5194UR | CDI-DIODE |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE SILICON DIODES |
|
| 1N5194UR | MICROSEMI |
获取价格 |
LL-35 High Voltage / Current Low Leakage Glass Diodes |
|
| 1N5194UR_08 | MICROSEMI |
获取价格 |
SWITCHING DIODE |
|
| 1N5194URE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
|
| 1N5194X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 80V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N5195 | NJSEMI |
获取价格 |
SI RECTIFIER |
|
| 1N5195 | MICROSEMI |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE SILICON DIODES |
|
| 1N5195 | CDI-DIODE |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE SILICON DIODES |
|
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