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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-261AA |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 17 weeks | 风险等级： | 1.61 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.35 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-261AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 3.9 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 9.4 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ZXMP10A17K | DIODES |
获取价格 |
100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| ZXMP10A17K | HOTTECH |
获取价格 |
TO-252 |
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| ZXMP10A17KTA | DIODES |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| ZXMP10A17KTC | DIODES |
获取价格 |
100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| ZXMP10A17Q | HOTTECH |
获取价格 |
SOT-223 |
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| ZXMP10A18 | HOTTECH |
获取价格 |
SOT-223 |
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| ZXMP10A18G | DIODES |
获取价格 |
100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| ZXMP10A18G | ZETEX |
获取价格 |
100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| ZXMP10A18GTA | DIODES |
获取价格 |
100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| ZXMP10A18GTA | ZETEX |
获取价格 |
100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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