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ZXMP10A18GTA

更新时间： 2024-11-21 07:42:31

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管功率场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	274K
描述
100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMP10A18GTA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SOT-223, 4 PIN	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.18
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.6 A	最大漏极电流 (ID)：	2.6 A
最大漏源导通电阻：	0.15 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3.9 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16.5 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZXMP10A18GTA 数据手册

ZXMP10A18G

100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY

= - 100V : R

(

) = 0.150 ; I = - 3.7A

(BR)DSS

DS on D

DESCRIPTION

This new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that

combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes

them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.

FEATURES

SOT223

• Low on-resistance

• Fast switching speed

• Low threshold

• Low gate drive

• SOT223 package

APPLICATIONS

• DC-DC Converters

• Power Management functions

• Relay and Solenoid driving

• Motor control

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL

SIZE

TAPE

WIDTH

QUANTITY

PER REEL

PINOUT

ZXMP10A18GTA

ZXMP10A18GTC

7”

12mm

1,000 units

4,000 units

13”

DEVICE MARKING

• ZXMP

10A18

ISSUE 1 - MARCH 2005

SEMICONDUCTORS

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZXMP10A18GTC	ZETEX	获取价格	100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMP10A18GTC	DIODES	获取价格	100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMP10A18K	ZETEX	获取价格	100V DPAK P-channel enhancement mode MOSFET
ZXMP10A18K	DIODES	获取价格	100V DPAK P-channel enhancement mode MOSFET
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