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ZXMP2120FFTA

更新时间： 2024-11-21 07:42:31

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美台 - DIODES		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
10页	411K
描述
200V SOT23F P-channel enhancement mode MOSFET

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ZXMP2120FFTA 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23F
包装说明：	SOT-23F, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	1.27
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	0.137 A	最大漏源导通电阻：	28 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	7 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

ZXMP2120FFTA 数据手册

ZXMP2120FF

200V SOT23F P-channel enhancement mode MOSFET

Summary

(⍀)

I (mA)

(BR)DSS

(on)

28 @ V = -10V

-200

-137

Description

This 200V enhancement mode P-channel MOSFET provides users with

a competitive specification offering efficient power handling capability,

high impedance and freedom from thermal runaway and thermally

induced secondary breakdown.

Applications benefiting from this device include a variety of telecom

and general high voltage circuits.

Features

•

High voltage

Low on-resistance

Fast switching speed

Low gate drive

Low threshold

SOT23 FLAT package

Applications

•

Active clamping of primary side MOSFETs in 48 volt DC-DC

converters

Ordering information

Device

Reel size

(inches)

Tape width

(mm)

Quantity

per reel

ZXMP2120FFTA

3,000

Top view

Device marking

1C4

Issue 1 - January 2007

www.zetex.com

12 3 4 5 6 7...10

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