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ZXMP3A16GTC

更新时间： 2024-01-24 13:37:36

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	153K
描述
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMP3A16GTC 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-223
包装说明：	SOT-223, 4 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.13	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW THRESHOLD	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.4 A	最大漏极电流 (ID)：	5.4 A
最大漏源导通电阻：	0.045 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3.9 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZXMP3A16GTC 数据手册

ZXMP3A16G

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY

(BR)DSS

= -30V: R

= 0.045 : I = -7.5A

DS(on) D

DESCRIPTION

This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structurethat

combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes

them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.

SOT223

FEATURES

•

Low on-resistance

Fast switching speed

Low threshold

Low gate drive

SOT223 package

APPLICATIONS

•

DC-DC converters

Power management functions

Relay and soleniod driving

Motor control

PINOUT

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL

SIZE

TAPE

WIDTH

QUANTITY

PER REEL

ZXMP3A16GTA

ZXMP3A16GTC

7”

12mm

1000 units

4000 units

13”

DEVICE MARKING

Top View

• ZXMP

3A16

ISSUE 3 - MAY 2007

12 3 4 5 6 7 8

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