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ZXMP3A17DN8TC

更新时间: 2024-11-21 07:42:31
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美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 163K
描述
DUAL P-CHANNEL 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET

ZXMP3A17DN8TC 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SOT
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.13Is Samacsys:N
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):3.4 A最大漏源导通电阻:0.07 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:P-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

ZXMP3A17DN8TC 数据手册

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ZXMP3A17DN8  
DUAL P-CHANNEL 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET  
SUMMARY  
V(BR)DSS = -30V; RDS(ON) = 0.070 ; ID= -4.4A  
DESCRIPTION  
This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique  
structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching  
speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power  
management applications.  
FEATURES  
Low on-resistance  
Fast switching speed  
Low threshold  
SO8  
Low gate drive  
Low profile SOIC package  
APPLICATIONS  
Motor Drive  
LCD backlighting  
ORDERING INFORMATION  
DEVICE  
REEL  
TAPE  
WIDTH  
QUANTITY  
PER REEL  
ZXMP3A17DN8TA  
ZXMP3A17DN8TC  
7’‘  
12mm  
12mm  
500 units  
PINOUT  
13’‘  
2500 units  
DEVICE MARKING  
ZXMP  
3A17D  
Top view  
ISSUE 1 - OCTOBER 2005  
1

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