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ZXMP3F30FHTA

更新时间： 2024-11-21 05:54:35

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捷特科 - ZETEX		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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8页	234K
描述
30V SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMP3F30FHTA 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.34	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	2.8 A	最大漏源导通电阻：	0.08 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZXMP3F30FHTA 数据手册

Part no.

ZXMP3F30FH

30V SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Summary

I_D(A)

V_{(BR)DSS (V)}

R_DS(on)(Ω)

0.080 @ V = -10V

-4.0

-30

0.140 @ V = -4.5V

Description

This new generation Trench MOSFET from Zetex has been designed to minimize the

on-state resistance (R_DS(on)) and yet maintain superior switching performance.

Features

•

Low on-resistance

Fast switching speed

4.5V gate drive capability

Thermally enhanced SOT23 package

Applications

•

Power management

Portable Equipment

Battery charging

Ordering information

Device

Reel size

(inches)

Tape width

(mm)

Quantity

per reel

ZXMP3F30FHTA

Device marking

KPA

7”

8mm

3,000

Pinout – top view

Issue 1 - August 2008

www.zetex.com

www.diodes.com

12 3 4 5 6 7 8

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