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ZXMP3F36N8TA

更新时间： 2024-09-15 07:42:31

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8页	249K
描述
30V SO8 P-channel enhancement mode MOSFET

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ZXMP3F36N8TA 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.46	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12.6 A
最大漏极电流 (ID)：	7.2 A	最大漏源导通电阻：	0.02 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	4.7 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

ZXMP3F36N8TA 数据手册

ZXMP3F36N8

30V SO8 P-channel enhancement mode MOSFET

Summary

V_(BR)DSS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

-30

0.020 @ V_GS=-10V

0.028 @ V_GS=-4.5V

-12.6

Description

This new generation Trench MOSFET from Zetex has been designed to minimize the on-state

resistance (R_DS(on)) and yet maintain superior switching performance.

Features

•

Low on-resistance

SO8 package

Applications

•

Battery Protection

Battery disconnect

Power management functions

Ordering information

Device

Reel size

Tape width

(mm)

Quantity

per reel

(inches)

ZXMP3F36N8TA

500

Device marking

Top view

ZXMP 3F36

Issue 1 - August 2008

www.zetex.com

www.diodes.com

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