ZXMP2120G4TC

更新时间： 2024-09-13 07:42:31

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捷特科 - ZETEX		/
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6页	442K
描述
200V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMP2120G4TC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TO-261AA, SOT-223, 4 PIN	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.17
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	0.2 A
最大漏源导通电阻：	25 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	7 pF	JEDEC-95代码：	TO-261AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZXMP2120G4TC 数据手册

ZXMP2120G4

200V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY

V_(BR)DSS=-200V; R_DS(ON)= 25 ; I_D= 200mA

DESCRIPTION

This 200V enhancement mode P-channel MOSFET provides users with a

competitive specification offering efficient power handling capability, high

impedance and is free from thermal runaway and thermally induced

secondary breakdown. Applications benefiting from this device include a

variety of Telecom and general high voltage circuits.

A SOT23-5 version is also available (ZXMP2120E5).

SOT223

FEATURES

• High voltage

• Low on-resistance

• Fast switching speed

• Low gate drive

• Low threshold

• SOT223 package variant engineered to increase spacing between

high voltage pins.

APPLICATIONS

• Active clamping of primary side MOSFETs in 48 volt DC-DC converters

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL SIZE

(inches)

TAPE WIDTH (mm)

QUANTITY

PER REEL

N/C

ZXMP2120G4TA

ZXMP2120G4TC

12mm embossed

1,000 units

4,000 units

PINOUT - TOP VIEW

DEVICE MARKING

ZXMP

2120

ISSUE 1 - DECEMBER 2005

12 3 4 5 6

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