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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> ZXMC4559DN8TC
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ZXMC4559DN8TC

更新时间： 2024-10-30 07:42:35
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 284K
描述
COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMC4559DN8TC 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：17 weeks风险等级：0.89
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.6 A
最大漏极电流 (ID)：3.6 A最大漏源导通电阻：0.055 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

ZXMC4559DN8TC 数据手册

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ZXMC4559DN8  
COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET  
SUMMARY  
N-Channel V(BR)DSS = 60V; RDS(ON) = 0.055 ; ID= 4.7A  
P-Channel V(BR)DSS = -60V; RDS(ON) = 0.105 ; ID= -3.9A  
DESCRIPTION  
This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique  
structure that com bines the benefits of low on-resistance with fast switching  
speed. This m akes them ideal for high efficiency, low voltage, power  
m anagem ent applications.  
SO8  
FEATURES  
•
•
•
•
•
Low on-resistance  
Fast switching speed  
Low threshold  
Low gate drive  
Low profile SOIC package  
APPLICATIONS  
•
•
Motor Drive  
LCD backlighting  
Q1 = N-CHANNEL  
Q2 = P-CHANNEL  
ORDERING INFORMATION  
DEVICE  
REEL TAPE  
QUANTITY  
PER REEL  
WIDTH  
12m m  
12m m  
ZXMC4559DN8TA  
ZXMC4559DN8TC  
7’‘  
500 units  
PINOUT  
13’‘  
2500 units  
DEVICE MARKING  
•
ZXMC  
4559  
Top view  
ISSUE 5 - MAY 2005  
1
S E M IC O N D U C T O R S  
1234567...10

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