ZXMD63C02X

更新时间： 2024-02-01 20:51:58

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美台 - DIODES		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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11页	214K
描述
20V Dual N and P-Channel Enhancement Mode Mosfet

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ZXMD63C02X 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	MO-187, MSOP-8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.29
其他特性：	LOW THRESHOLD	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	2.4 A
最大漏源导通电阻：	0.13 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MO-187AA	JESD-30 代码：	S-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZXMD63C02X 数据手册

ZXMD63C02X

20V DUAL N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY

N-CHANNEL: V_(BR)DSS=20V; R_DS(ON)=0.13⍀; I_D=2.4A

P-CHANNEL: V_(BR)DSS=-20V; R_DS(ON)=0.27⍀; I_D=-1.7A

DESCRIPTION

This new generation of high density MOSFETs from Zetex utilises a unique

structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching

speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power

management applications.

MSOP8

FEATURES

•

Low on-resistance

Fast switching speed

Low threshold

Low gate drive

N-CHANNEL

P-CHANNEL

Low profile SOIC package

APPLICATIONS

•

DC - DC Converters

Power Management Functions

Disconnect switches

Motor control

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL SIZE

(inches)

TAPE WIDTH (mm)

QUANTITY

PER REEL

Top View

ZXMD63C02XTA

ZXMD63C02XTC

12mm embossed

1000 units

4000 units

DEVICE MARKING

•

ZXM63C02

PROVISIONAL ISSUE A - JUNE 1999

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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