ZXMC6A09DN8

更新时间： 2024-10-31 21:53:43

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捷特科 - ZETEX		/
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10页	291K
描述
COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMC6A09DN8 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.23
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	0.07 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZXMC6A09DN8 数据手册

ZXMC6A09DN8

COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY

N-Channel V_(BR)DSS= 60V; R_DS(ON)= 0.045 ; I_D= 5.1A

P-Channel V_(BR)DSS= -60V; R_DS(ON)= 0.055 ; I_D= -4.8A

DESCRIPTION

This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure

that com bines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This

m akes them ideal for high efficiency, low voltage, power m anagem ent

applications.

SO8

FEATURES

•

Low on-resistance

Fast switching speed

Low threshold

Low gate drive

Low profile SOIC package

APPLICATIONS

•

Motor drive

LCD backlighting

Q1 = N-CHANNEL

Q2 = P-CHANNEL

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL TAPE

QUANTITY

PER REEL

WIDTH

12m m

ZXMC6A09DN8TA

ZXMC6A09DN8TC

7’‘

500 units

PINOUT

13’‘

2500 units

DEVICE MARKING

ZXMC

6A09

Top view

ISSUE 3 - AUGUST 2004

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZXMC6A09DN8TA	ZETEX	获取价格	COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMC6A09DN8TA	DIODES	获取价格	COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMC6A09DN8TC	DIODES	获取价格	COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMC6A09DN8TC	ZETEX	获取价格	COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMD63C02X	ZETEX	获取价格	20V DUAL N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMD63C02X	DIODES	获取价格	20V Dual N and P-Channel Enhancement Mode Mosfet
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