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ZXMD63N02XTC PDF预览

ZXMD63N02XTC

更新时间： 2024-11-07 07:42:35
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 154K
描述
DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMD63N02XTC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
零件包装代码：MSOP包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.28
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.5 A
最大漏极电流 (ID)：2.4 A最大漏源导通电阻：0.13 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-187AA
JESD-30 代码：S-PDSO-G8JESD-609代码：e3
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.25 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

ZXMD63N02XTC 数据手册

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ZXMD63N02X  
DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET  
SUMMARY  
(BR)DSS=20V; RDS(ON)=0.13Ω; ID=2.4A  
V
DESCRIPTION  
This new generation of high density MOSFETs from Zetex utilises a unique  
structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching  
speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power  
management applications.  
MSOP8  
FEATURES  
•
•
•
•
•
Low on-resistance  
Fast switching speed  
Low threshold  
Low gate drive  
SOT23 package  
APPLICATIONS  
•
•
•
•
DC - DC Converters  
Power Management Functions  
Disconnect switches  
Motor control  
ORDERING INFORMATION  
DEVICE  
REEL SIZE  
(inches)  
TAPE WIDTH (mm)  
QUANTITY  
PER REEL  
ZXMD63N02XTA  
ZXMD63N02XTC  
7
12mm embossed  
12mm embossed  
1000 units  
4000 units  
Top View  
13  
DEVICE MARKING  
•
ZXM63N02  
ISSUE 1 - JUNE 2004  
1
1234567

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