ZXMD63N02X

更新时间： 2024-09-24 07:42:35

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美台 - DIODES		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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7页	154K
描述
DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMD63N02X 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	1.8 A
最大漏源导通电阻：	0.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZXMD63N02X 数据手册

ZXMD63N02X

DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY

_(BR)DSS=20V; R_DS(ON)=0.13Ω; I_D=2.4A

DESCRIPTION

This new generation of high density MOSFETs from Zetex utilises a unique

structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching

speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power

management applications.

MSOP8

FEATURES

•

Low on-resistance

Fast switching speed

Low threshold

Low gate drive

SOT23 package

APPLICATIONS

•

DC - DC Converters

Power Management Functions

Disconnect switches

Motor control

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL SIZE

(inches)

TAPE WIDTH (mm)

QUANTITY

PER REEL

ZXMD63N02XTA

ZXMD63N02XTC

12mm embossed

1000 units

4000 units

Top View

DEVICE MARKING

•

ZXM63N02

ISSUE 1 - JUNE 2004

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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ZXMD63N02XTA	DIODES	获取价格	DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMD63N02XTC	ZETEX	获取价格	DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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