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ZXMD63C03XTC

更新时间： 2024-02-14 12:55:26

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美台 - DIODES		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	373K
描述
30V DUAL N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMD63C03XTC 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	MSOP
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.16	其他特性：	LOW THRESHOLD
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	2.3 A	最大漏源导通电阻：	0.135 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	S-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZXMD63C03XTC 数据手册

ZXMD63C03X

30V DUAL N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY

N-CHANNEL: V_(BR)DSS=30V; R_DS(ON)=0.135 ; I_D=2.3A

P-CHANNEL:

V_(BR)DSS=-30V; R_DS(ON)=0.185 ; I_D=-2.0A

DESCRIPTION

This new generation of high density MOSFETs from Zetex utilizes a unique

structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching

speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power

management applications.

MSOP8

FEATURES

• Low on-resistance

N-channel

P-channel

• Fast switching speed

• Low threshold

• Low gate drive

• Low profile SOIC package

APPLICATIONS

• DC - DC converters

• Power management functions

• Disconnect switches

• Motor control

Pin-out

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL SIZE

(inches)

TAPE WIDTH

(mm)

QUANTITY

PER REEL

ZXMD63C03XTA

ZXMD63C03XTC

12 embossed

1,000

4,000

DEVICE MARKING

ZXM63C03

Top view

ISSUE 2 - SEPTEMBER 2007

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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ZXMD63N02X	DIODES	获取价格	DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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