ZXMC4A16DN8

更新时间： 2024-01-02 19:43:56

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描述
COMPLEMENTARY 40V ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMC4A16DN8 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SOIC-8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.21
Is Samacsys：	N	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (ID)：	4 A
最大漏源导通电阻：	0.05 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	24 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZXMC4A16DN8 数据手册

ZXMC4A16DN8

COMPLEMENTARY 40V ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY

N-Channel = V_(BR)DSS= 40V : R_DS(on)= 0.05 ; I_D= 5.2A

P-Channel = V_(BR)DSS= -40V : R_DS(on)= 0.06 ; I_D= -4.7A

DESCRIPTION

This new generation of trench MOSFETs from Zetex

utilises a unique structure that com bines the benefits

of low on-resistance with fast switching speed. This

m akes them ideal for high efficiency, low voltage,

power m anagem ent applications.

SO8

FEATURES

• Low on-resistance

• Fast switching speed

• Low threshold

• Low gate drive

• Low profile SOIC package

APPLICATIONS

• Motor drive

• LCD backlighting

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL

S IZE

QUANTITY PER

REEL

TAPE WIDTH

PINOUT

7”

12m m

500

ZXMC4A16DN8TA

ZXMC4A16DN8TC

13”

2,500

DEVICE MARKING

• ZXMC

4A16

TOP VIEW

ISSUE 1 - NOVEMBER 2004

S E M IC O N D U C T O R S

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
ZXMC4A16DN8TA	ZETEX	COMPLEMENTARY 40V ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格
ZXMC4A16DN8TA	DIODES	COMPLEMENTARY 40V ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格
ZXMC4A16DN8TC	DIODES	COMPLEMENTARY 40V ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格
ZXMC4A16DN8TC	ZETEX	COMPLEMENTARY 40V ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格
ZXMC6A09DN8	ZETEX	COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格
ZXMC6A09DN8	DIODES	COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格