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ZXMC3AMCTA

更新时间： 2024-02-16 19:50:10

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美台 - DIODES		/
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11页	736K
描述
30V COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMC3AMCTA 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DFN
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	17 weeks	风险等级：	1.7
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	DRAIN
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.7 A	最大漏极电流 (ID)：	2.9 A
最大漏源导通电阻：	0.12 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-N8	JESD-609代码：	e4
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.45 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	13 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZXMC3AMCTA 数据手册

A Product Line of

Diodes Incorporated

ZXMC3AMC

Typical Electrical Characteristics – Q1 N-Channel

T = 150°C

T = 25°C

10V

4.5V

3.5V

2.5V

V_GS

0.1

2.5V

0.1

Drain-Source Voltage ¹(V⁰)

Output Characteristics

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

V_GS= 10V

I_D= 2.5A

V_DS= 10V

R_DS(on)

T = 150°C

V_GS(th)

T = 25°C

3.0

V_GS= V_DS

I_D= 250uA

0.1

2.0

2.5

3.5

4.0

4.5

5.0

-50

100

150

V_GSGate-Source Voltage (V)

Tj Junction Temperature (°C)

Normalised Curves v Temperature

Typical Transfer Characteristics

2.5V

3.5V

V_GS

4.5V

T = 150°C

10V

T = 25°C

0.1

0.4

T = 25°C

0.1

0.6

0.8

1.0

1.2

I_DDrain Current (A)

V_SDSource-Drain Voltage (V)

Source-Drain Diode Forward Voltage

On-Resistance v Drain Current

5 of 11

www.diodes.com

December 2010

ZXMC3AMC

Document number: DS35088 Rev. 1 - 2

1 2 3 456 7 8...11

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