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ZXMC3F31DN8TA

更新时间： 2024-01-24 09:27:16

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捷特科 - ZETEX		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
11页	357K
描述
30V SO8 Complementary dual enhancement mode MOSFET

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ZXMC3F31DN8TA 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	17 weeks	风险等级：	1.73
Is Samacsys：	N	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.8 A
最大漏极电流 (ID)：	5.7 A	最大漏源导通电阻：	0.024 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.35 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZXMC3F31DN8TA 数据手册

ZXMC3F31DN8

30V SO8 Complementary dual enhancement mode

MOSFET

Summary

V_(BR)DSS

(V)

Q_G

(nC)

Device

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

0.024 @ V_GS= 10V

0.039 @ V_GS= 4.5V

0.045 @ V_GS= -10V

0.080 @ V_GS= -4.5V

7.3

5.7

5.3

12.9

12.7

-30

Description

This new generation Trench MOSFET from Zetex has been designed to

minimize the on-state resistance (R_DS(on)) and yet maintain superior

switching performance making it ideal for power management and

battery charging functions.

Features

•

Low on-resistance

4.5V gate drive capability

Low profile SOIC package

Applications

•

DC-DC Converters

SMPS

Q1 N-Channel

Q2 P-Channel

Load switching switches

Motor control

Backlighting

Ordering information

Device

Reel size

(inches)

Tape width

(mm)

Quantity

per reel

ZXMC3F31DN8TA

Device marking

500

ZXMC

3F31

Top view

Issue 1 - September 2008

www.zetex.com

www.diodes.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
ZXMC4559DN8	ZETEX	COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格
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