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ZXMC3AMCTA

更新时间： 2024-01-02 09:35:55
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES /
页数 文件大小 规格书
11页 736K
描述
30V COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMC3AMCTA 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DFN
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：17 weeks风险等级：1.7
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：DRAIN
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.7 A最大漏极电流 (ID)：2.9 A
最大漏源导通电阻：0.12 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-N8JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.45 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：13 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

ZXMC3AMCTA 数据手册

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A Product Line of  
Diodes Incorporated  
ZXMC3AMC  
Thermal Characteristics  
RDS(ON)  
RDS(ON)  
10  
1
10  
Limited  
Limited  
1
DC  
1s  
DC  
1s  
100ms  
100ms  
100m  
100m  
10m  
10ms  
10ms  
1ms  
8 sq cm 2oz Cu  
One active die  
8 sq cm 2oz Cu  
One active die  
Single Pulse, Tamb=25°C  
1ms  
100us  
10  
100us  
10  
Single Pulse, Tamb=25°C  
10m  
1
1
VDS Drain-Source Voltage (V)  
-VDS Drain-Source Voltage (V)  
P-channel Safe Operating Area  
N-channel Safe Operating Area  
90  
2.0  
10 sq cm 1oz Cu  
Two active die  
8 sq cm 2oz Cu  
One active die  
80  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
8 sq cm 2oz Cu  
One active die  
60  
D=0.5  
40  
10 sq cm 1oz Cu  
One active die  
Single Pulse  
D=0.05  
D=0.1  
D=0.2  
20  
0
100µ 1m 10m 100m  
1
10  
100  
1k  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Pulse Width (s)  
Temperature (°C)  
Derating Curve  
Transient Thermal Impedance  
3.5  
225  
200  
175  
150  
125  
100  
75  
Tamb=25°C  
Tj max=150°C  
Continuous  
2oz Cu  
Two active die  
1oz Cu  
One active die  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
1oz Cu  
Two active die  
2oz Cu  
One active die  
2oz Cu  
One active die  
1oz Cu  
Two active die  
50  
1oz Cu  
One active die  
2oz Cu  
Two active die  
25  
0
0.1  
0.1  
1
10  
100  
1
10  
100  
Board Cu Area (sqcm)  
Board Cu Area (sqcm)  
Power Dissipation v Board Area  
Thermal Resistance v Board Area  
3 of 11  
www.diodes.com  
December 2010  
© Diodes Incorporated  
ZXMC3AMC  
Document number: DS35088 Rev. 1 - 2  
1234567...11

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