ZVN4210A

更新时间： 2024-10-14 07:42:43

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美台 - DIODES		晶体小信号场效应晶体管
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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ZVN4210A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	Factory Lead Time：	17 weeks
风险等级：	0.61	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.45 A
最大漏极电流 (ID)：	0.45 A	最大漏源导通电阻：	1.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	12 pF
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZVN4210A 数据手册

N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ZVN4210A

ISSUE 2 – MARCH 94

FEATURES

100 Volt V_DS

R_DS(on)= 1.5Ω

Spice m odel available

E-Line

TO92 Com patible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Dra in -S o u rce Vo lta g e

100

450

Co n tin u o u s Dra in Cu rre n t a t T_{a m b}=25°C

Pu ls ed Dra in Cu rre n t

I_D

m A

I_DM

Ga te -S o u rce Vo lta g e

V_GS

± 20

Po w e r Dis s ip atio n a t T_{a m b}=25°C

Op era tin g an d S to ra g e Tem p era tu re Ran g e

P_{to t}

700

m W

°C

T_j:T_{s tg}

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS .

Dra in -S o u rce Bre a kd o w n

Vo lta g e

BV_{DS S}

100

I_D=1m A, V_GS=0V

Ga te -S o u rce Th re s h o ld

Vo lta g e

V_{GS (th )}

0.8

2.4

ID=1m A, V_DS= V_GS

Ga te -Bo d y Le aka g e

I_{GS S}

I_{DS S}

100

n A

_GS=± 20V, V_DS=0V

Ze ro Gate Vo ltag e Dra in

Cu rre n t

100

V_DS=100V, V_GS=0

V_DS=80V, V_GS=0V, T=125°C(2)

µA

On -S tate Dra in Cu rre n t(1)

I_{D(o n )}

2.5

V_DS=25V, V_GS=10V

V_GS=10V,I_D=1.5A

S ta tic Dra in -S o u rce On -S ta te

Re s is tan ce (1)

R_{DS (o n )}

1.5

1.8

Ω

V_GS=5V,I_D=500m A

Fo rw ard Tran s co n d u cta n ce (1)(2g _fs

)

250

m S

V_DS=25V,I_D=1.5A

In p u t Ca p a cita n ce (2)

C_{is s}

C_{o s s}

100

p F

Co m m o n S o u rce Ou tp u t

Ca p a citan ce (2)

V_DS=25V, V_GS=0V, f=1MHz

Re ve rs e Tra n s fe r Ca p a citan ce C_{rs s}

(2)

p F

Tu rn -On De la y Tim e (2)(3)

Ris e Tim e (2)(3)

t_{d (o n )}

n s

t_r

V_DD≈25V, I_D=1.5A

Tu rn -Off Delay Tim e (2)(3)

Fall Tim e (2)(3)

t_{d (o ff)}

t_f

3-388

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ZVN4210A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
ZVN4210ASTZ	DIODES	类似代替	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与ZVN4210A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZVN4210ASM	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVN4210ASMTA	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVN4210ASMTC	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVN4210ASMTC	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVN4210ASTOA	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVN4210ASTOB	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVN4210ASTZ	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVN4210G	ZETEX	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN4210G	DIODES	获取价格	SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN4210GTA	DIODES	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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