ZVN4210G

更新时间： 2024-11-29 22:34:03

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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ZVN4210G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SOT-223, 4 PIN	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.14	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.8 A
最大漏极电流 (ID)：	0.8 A	最大漏源导通电阻：	1.8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	12 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	50 ns
最大开启时间（吨）：	12 ns	Base Number Matches：	1

ZVN4210G 数据手册

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ZVN4210G

ISSUE 2 - NOVEMBER 1995

FEATURES

Low R_DS(on)= 1.5Ω

PARTMARKING DETAIL - ZVN4210

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Dra in -S o u rce Vo lta g e

100

Co n tin u o u s Drain Cu rren t at T_{a m b}=25°C

Pu ls ed Dra in Cu rre n t

I_D

0.8

I_DM

Ga te-S o u rce Vo lta g e

V_GS

± 20

Po w er Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e

P_{to t}

T_j:T_{s tg}

-55 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS .

Dra in -S o u rce Bre akd o w n

Vo lta g e

BV_{DS S}

100

I_D=1m A, V_GS=0V

Gate-Sou rce Threshold Voltage V_{GS (th )}

0.8

2.4

I_D=1m A, V_DS= V_GS

Ga te-Bo d y Lea ka g e

I_{GS S}

I_{DS S}

100

n A

_GS=± 20V, V_DS=0V

Ze ro Ga te Vo lta g e Dra in

Cu rre n t

100

V_DS=100V, V_GS=0

V_DS=80V, V_GS=0V, T=125°C(2)

µA

On -S ta te Dra in Cu rre n t(1)

I_{D(o n )}

2.5

V_DS=25V, V_GS=10V

V_GS=10V,I_D=1.5A

S tatic Drain -S o u rce On -S ta te

Res ista n ce (1)

R_{DS (o n )}

1.5

1.8

Ω

V_GS=5V,I_D=500m A

Forward Transconductance(1)(2) g _fs

250

m S

p F

V_DS=25V,I_D=1.5A

In p u t Ca p a cita n ce (2)

C_{is s}

C_{o s s}

100

Co m m o n S o u rce Ou tp u t

Cap acita n ce (2)

V_DS=25V, V_GS=0V, f=1MHz

Reverse Transfer Capacitance (2) C_{rs s}

p F

n s

Tu rn -On De la y Tim e (2)(3)

Ris e Tim e (2)(3)

t_{d (o n )}

t_r

V_DD≈25V, I_D=1.5A

Tu rn -Off De la y Tim e (2)(3)

Fa ll Tim e (2)(3)

t_{d (o ff)}

t_f

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% (2) Sam ple test.

(3) Switching tim es m easured with 50Ω source im pedance and <5ns rise tim e on a pulse generator

Spice param eter data is available upon request for this device

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与ZVN4210G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZVN4210GTA	DIODES	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN4210GTA	ZETEX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 100V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVN4210GTC	DIODES	获取价格	0.8A, 100V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-223, 4 PIN
ZVN4210GTC	ZETEX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 100V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVN4306A	DIODES	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN4306ASM	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
ZVN4306ASMTA	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
ZVN4306ASMTC	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
ZVN4306ASTOB	DIODES	获取价格	1100mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
ZVN4306ASTZ	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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