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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-W3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.06 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 1.1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.45 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-W3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ZVN4306AV | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
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| ZVN4306AV | ZETEX |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
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| ZVN4306G | ZETEX |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
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| ZVN4306G | DIODES |
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SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
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| ZVN4306G(3) | ZETEX |
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| ZVN4306GTA | ZETEX |
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Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 60V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| ZVN4306GTA | DIODES |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 60V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| ZVN4306GTC | ZETEX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 60V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| ZVN4306GV | ZETEX |
获取价格 |
SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
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| ZVN4306GV | DIODES |
获取价格 |
SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
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