ZVN4210G

更新时间： 2024-11-30 07:42:43

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美台 - DIODES		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
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描述
SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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ZVN4210G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-223	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.12	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.8 A
最大漏极电流 (ID)：	0.8 A	最大漏源导通电阻：	1.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZVN4210G 数据手册

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ZVN4210G

ISSUE 2 - NOVEMBER 1995

FEATURES

Low R_DS(on)= 1.5Ω

PARTMARKING DETAIL - ZVN4210

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Dra in -S o u rce Vo lta g e

100

Co n tin u o u s Drain Cu rren t at T_{a m b}=25°C

Pu ls ed Dra in Cu rre n t

I_D

0.8

I_DM

Ga te-S o u rce Vo lta g e

V_GS

± 20

Po w er Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e

P_{to t}

T_j:T_{s tg}

-55 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS .

Dra in -S o u rce Bre akd o w n

Vo lta g e

BV_{DS S}

100

I_D=1m A, V_GS=0V

Gate-Sou rce Threshold Voltage V_{GS (th )}

0.8

2.4

I_D=1m A, V_DS= V_GS

Ga te-Bo d y Lea ka g e

I_{GS S}

I_{DS S}

100

n A

_GS=± 20V, V_DS=0V

Ze ro Ga te Vo lta g e Dra in

Cu rre n t

100

V_DS=100V, V_GS=0

V_DS=80V, V_GS=0V, T=125°C(2)

µA

On -S ta te Dra in Cu rre n t(1)

I_{D(o n )}

2.5

V_DS=25V, V_GS=10V

V_GS=10V,I_D=1.5A

S tatic Drain -S o u rce On -S ta te

Res ista n ce (1)

R_{DS (o n )}

1.5

1.8

Ω

V_GS=5V,I_D=500m A

Forward Transconductance(1)(2) g _fs

250

m S

p F

V_DS=25V,I_D=1.5A

In p u t Ca p a cita n ce (2)

C_{is s}

C_{o s s}

100

Co m m o n S o u rce Ou tp u t

Cap acita n ce (2)

V_DS=25V, V_GS=0V, f=1MHz

Reverse Transfer Capacitance (2) C_{rs s}

p F

n s

Tu rn -On De la y Tim e (2)(3)

Ris e Tim e (2)(3)

t_{d (o n )}

t_r

V_DD≈25V, I_D=1.5A

Tu rn -Off De la y Tim e (2)(3)

Fa ll Tim e (2)(3)

t_{d (o ff)}

t_f

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% (2) Sam ple test.

(3) Switching tim es m easured with 50Ω source im pedance and <5ns rise tim e on a pulse generator

Spice param eter data is available upon request for this device

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZVN4210GTA	DIODES	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN4210GTA	ZETEX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 100V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVN4210GTC	DIODES	获取价格	0.8A, 100V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-223, 4 PIN
ZVN4210GTC	ZETEX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 100V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVN4306A	DIODES	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN4306ASM	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
ZVN4306ASMTA	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
ZVN4306ASMTC	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
ZVN4306ASTOB	DIODES	获取价格	1100mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
ZVN4306ASTZ	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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