5秒后页面跳转
ZVN4206GTA PDF预览

ZVN4206GTA

更新时间: 2024-11-30 11:56:23
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 50K
描述
SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

ZVN4206GTA 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOT-223
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数:4
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75Factory Lead Time:17 weeks
风险等级:0.71Is Samacsys:N
其他特性:FAST SWITCHING外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):1 A最大漏极电流 (ID):1 A
最大漏源导通电阻:1.5 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:4工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2 W最大脉冲漏极电流 (IDM):8 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Powers
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

ZVN4206GTA 数据手册

 浏览型号ZVN4206GTA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ZVN4206GTA的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ZVN4206GTA的Datasheet PDF文件第4页 
SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE VERTICAL DMOS FET  
ZVN4206G  
ISSUE 3 - J ANUARY 1996  
FEATURES  
*
*
*
*
*
Com pact geom etry  
D
Fast switching speeds  
No secondary breakdown and Excellent tem perature stability  
High input im pedance and low current drive  
Ease of parralleling  
S
D
G
APPLICATIONS  
*
*
*
DC-DC converters  
Solenoid / relay drivers for autom otive applications  
Stepper m otor drivers and Print head drivers  
PARTMARKING DETAIL -  
ZVN4206  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VDS  
VALUE  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
60  
V
A
Continuous Drain Current at Tam b=25°C  
Pulsed Drain Current  
ID  
1
IDM  
8
A
Gate-Source Voltage  
VGS  
V
± 20  
2
Power Dissipation at Tam b=25°C  
Operating and Storage Tem perature Range  
Ptot  
W
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
3 - 401  

ZVN4206GTA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
ZVN4206GTC DIODES

类似代替

Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-

与ZVN4206GTA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ZVN4206GTC DIODES

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
ZVN4206GV DIODES

获取价格

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN4206GV ZETEX

获取价格

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN4206GVTA DIODES

获取价格

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN4206GVTC DIODES

获取价格

暂无描述
ZVN4206V ZETEX

获取价格

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN4206Z ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 900MA I(D) | SOT-89
ZVN4210A DIODES

获取价格

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN4210A ZETEX

获取价格

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN4210ASM ZETEX

获取价格

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met