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ZVN4206GV

更新时间: 2024-11-30 07:42:43
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美台 - DIODES 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 79K
描述
SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

ZVN4206GV 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:SOT-223包装说明:SOT-223, 4 PIN
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.08Is Samacsys:N
其他特性:AVALANCHE RATED外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):1 A最大漏源导通电阻:1 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):8 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

ZVN4206GV 数据手册

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SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE VERTICAL DMOS FET  
ZVN4206GV  
ISSUE 3 - APRIL 1998  
FEATURES  
*
*
*
*
*
60 Volt VDS  
RDS(on)= 1  
Repetitive avalanche rating  
No transient protection required  
Characterised for 5V logic drive  
D
S
D
APPLICATIONS  
G
*
*
Automotive relay drivers  
Stepper motor driver  
PARTMARKING DETAIL -  
ZVN4206V  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VDS  
ID  
VALUE  
UNIT  
V
Drain-Source Voltage  
60  
1
Continuous Drain Current at Tamb = 25°C  
Pulsed Drain Current  
A
IDM  
8
A
Gate-Source Voltage  
VGS  
Ptot  
V
± 20  
2
Power Dissipation at Tamb = 25°C  
W
Continuous Body Diode Current at Tamb  
25°C  
=
ISD  
600  
mA  
Avalanche Current - Repetitive  
IAR  
600  
15  
mA  
mJ  
°C  
Avalanche Energy - Repetitive  
EAR  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj:Tstg  
-55 to +150  

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