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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.1 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | FAST SWITCHING |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1 A | 最大漏源导通电阻： | 1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 20 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 8 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 27 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 20 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ZVN4206GVTA | DIODES |
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SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
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| ZVN4206GVTC | DIODES |
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暂无描述 |
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| ZVN4206V | ZETEX |
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SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
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| ZVN4206Z | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 900MA I(D) | SOT-89 |
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| ZVN4210A | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
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| ZVN4210A | ZETEX |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
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| ZVN4210ASM | ZETEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| ZVN4210ASMTA | ZETEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| ZVN4210ASMTC | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| ZVN4210ASMTC | ZETEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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