ZVN4206G

更新时间： 2024-11-30 07:42:43

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美台 - DIODES		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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描述
SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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ZVN4206G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-223	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	0.73	Is Samacsys：	N
其他特性：	FAST SWITCHING	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1 A	最大漏极电流 (ID)：	1 A
最大漏源导通电阻：	1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZVN4206G 数据手册

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ZVN4206G

ISSUE 3 - J ANUARY 1996

✪

FEATURES

Com pact geom etry

Fast switching speeds

No secondary breakdown and Excellent tem perature stability

High input im pedance and low current drive

Ease of parralleling

APPLICATIONS

DC-DC converters

Solenoid / relay drivers for autom otive applications

Stepper m otor drivers and Print head drivers

PARTMARKING DETAIL -

ZVN4206

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

Continuous Drain Current at T_{am b}=25°C

Pulsed Drain Current

I_D

I_DM

Gate-Source Voltage

V_GS

± 20

Power Dissipation at T_{am b}=25°C

Operating and Storage Tem perature Range

P_tot

°C

T_j:T_stg

-55 to +150

3 - 401

12 3 4

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