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ZTX712STOB

更新时间： 2024-09-09 20:09:07

品牌	Logo	应用领域
捷特科 - ZETEX		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	25K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZTX712STOB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.15	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	10000	JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	1.25 V	Base Number Matches：	1

ZTX712STOB 数据手册

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER

DARLINGTON TRANSISTOR

ISSUE 1 MAY 94

ZTX712

FEATURES

60 Volt V_CEO

0.8 Amp continuous current

Gain of 10K at I_C=0.5 Amp

APPLICATIONS

Lamp, solenoid and relay drivers

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

-80

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-60

-10

Peak Pulse Current

-2

Continuous Collector Current

I_C

-800

Power Dissipation at T_amb= 25°C

derate above 25°C

P_tot

5.7

mW/ °C

Operating and Storage Temperature

Range

T_j:T_stg

-55 to +200

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C unless otherwise stated).

PARAMETER

SYMBOL

MIN. MAX.

UNIT

CONDITIONS.

Collector-Base Breakdown V_(BR)CBO

Voltage

-80

I_C=-10µA

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

V_CEO(SUS)-60

I_C=-10mA*

Emitter-Base Breakdown

Voltage

V_(BR)EBO

-10

I_E=-10µA

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

I_CBO

-100

-1.25

V_CB=-60V, I_E=0

I_EBO

V_EB=-8V, I_C=0

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

I_C=-800mA, I_B=-8mA*

Base-Emitter Turn-On

Voltage

V_BE(on)

h_FE

-1.8

IC=-800mA, V_CE=-5V*

Static Forward

Current Transfer Ratio

10K

I_C=-100mA, V_CE=-5V*

I_C=-500mA, V_CE=-5V*

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%

3-253

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ZTX718	ZETEX	获取价格	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
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