ZTX718

更新时间： 2024-11-20 22:18:51

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捷特科 - ZETEX		晶体小信号双极晶体管局域网
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描述
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

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ZTX718 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.37	最大集电极电流 (IC)：	2.5 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

ZTX718 数据手册

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER

HIGH GAIN TRANSISTOR

ZTX718

ISSUE 4– MAY 1998

FEATURES

6A Peak pulse current

Excellent h_FEcharacteristics up to 6A (pulsed)

low saturation voltage

I_CCont 2.5A

APPLICATIONS

Power MOSFET gate driver in conjunction with

complementary ZTX618

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

-20

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-20

-5

Peak Pulse Current

-6

-2.5

Continuous Collector Current

Base Current

I_C

I_B

-500

°C

Practical Power Dissipation*

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_totp

P_tot

1.5

T_j:T_stg

-55 to +200

* Device mounted on P.C.B. with copper equal to 1 sq. Inch minimum.

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