ZTX750

更新时间： 2024-12-02 22:12:31

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管局域网
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PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

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ZTX750 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	7.98	最大集电极电流 (IC)：	2 A
基于收集器的最大容量：	30 pF	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	2.5 W	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	CECC
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	140 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V

ZTX750 数据手册

PNP SILICON PLANAR

ZTX750

ZTX751

MEDIUM POWER TRANSISTORS

ISSUE 2 JULY 94

FEATURES

60 Volt V_CEO

2 Amp continuous current

Low saturation voltage

P_tot= 1 Watt

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

ZTX750

-60

ZTX751

-80

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-45

-60

-5

-6

-2

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

I_C

Power Dissipation: at T_amb=25°C

derate above 25°C

P_tot

5.7

mW/°C

Operating and Storage Temperature Range

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

ZTX750

T_j:T_stg

-55 to +200

°C

= 25°C unless otherwise stated).

amb

ZTX751

PARAMETER

SYMBOL

UNIT CONDITIONS.

MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX.

Collector-Base

Breakdown

Voltage

V_(BR)CBO-60

V_(BR)CEO-45

V_(BR)EBO-5

I_CBO

-80

-60

-5

I_C=-100µA

I_C=-10mA

I_E=-100µA

Collector-Emitter

Breakdown

Voltage

Emitter-Base

Breakdown

Voltage

Collector Cut-Off

Current

-0.1

-10

V_CB=-45V

V_CB=-60V

V_CB=-45V,T =100°C

V_CB=-60V,T =100°C

µA

-0.1

-10

Emitter Cut-Off

Current

I_EBO

-0.1

V_EB=-4V

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

-0.15 -0.3

-0.28 -0.5

-0.15 -0.3

-0.28 -0.5

I_C=-1A, I_B=-100mA

I_C=-2A, I_B=-200mA

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

-0.9 -1.25

I_C=-1A, I_B=-100mA

3-257

12 3

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