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ZTX750

更新时间： 2024-02-23 18:33:03
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页数 文件大小 规格书
3页 64K
描述
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

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ZTX750 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：7.98最大集电极电流 (IC)：2 A
基于收集器的最大容量：30 pF集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-W3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：2.5 W最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified参考标准：CECC
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：140 MHz
VCEsat-Max：0.5 V

ZTX750 数据手册

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PNP SILICON PLANAR  
ZTX750  
ZTX751  
MEDIUM POWER TRANSISTORS  
ISSUE 2 – JULY 94  
FEATURES  
*
*
*
*
60 Volt VCEO  
2 Amp continuous current  
Low saturation voltage  
Ptot= 1 Watt  
C
B
E
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
ZTX750  
-60  
ZTX751  
-80  
UNIT  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
V
A
A
-45  
-60  
-5  
-6  
-2  
Peak Pulse Current  
Continuous Collector Current  
IC  
Power Dissipation: at Tamb=25°C  
derate above 25°C  
Ptot  
1
5.7  
W
mW/°C  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
ZTX750  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
°C  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
ZTX751  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT CONDITIONS.  
MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX.  
Collector-Base  
Breakdown  
Voltage  
V(BR)CBO -60  
V(BR)CEO -45  
V(BR)EBO -5  
ICBO  
-80  
-60  
-5  
V
V
V
IC=-100µA  
IC=-10mA  
IE=-100µA  
Collector-Emitter  
Breakdown  
Voltage  
Emitter-Base  
Breakdown  
Voltage  
Collector Cut-Off  
Current  
-0.1  
-10  
VCB=-45V  
VCB=-60V  
VCB=-45V,T =100°C  
VCB=-60V,T =100°C  
µA  
µA  
µA  
µA  
-0.1  
-10  
Emitter Cut-Off  
Current  
IEBO  
-0.1  
-0.1  
VEB=-4V  
µA  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
-0.15 -0.3  
-0.28 -0.5  
-0.15 -0.3  
-0.28 -0.5  
V
V
IC=-1A, IB=-100mA  
IC=-2A, IB=-200mA  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
-0.9 -1.25  
-0.9 -1.25  
V
IC=-1A, IB=-100mA  
3-257  
123

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