ZTX751K

更新时间： 2024-11-25 13:16:15

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美台 - DIODES		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	130K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZTX751K 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.43
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	CECC	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	140 MHz	Base Number Matches：	1

ZTX751K 数据手册

PNP SILICON PLANAR

MEDIUM POWER TRANSISTORS

ISSUE 3 – JULY 2005

ZTX750

ZTX751

FEATURES

60 Volt V_CEO

2 Amp continuous current

Low saturation voltage

P_tot= 1 Watt

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

ZTX750

-60

ZTX751

-80

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-45

-60

-5

-6

-2

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

I_C

Power Dissipation: at T_amb=25°C

derate above 25°C

P_tot

5.7

mW/°C

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +200

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated)

amb

ZTX750

ZTX751

PARAMETER

SYMBOL

V_(BR)CBO

UNIT CONDITIONS.

MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX.

Collector-Base

Breakdown

Voltage

Collector-Emitter

Breakdown

Voltage

Emitter-Base

Breakdown

Voltage

Collector Cut-Off

Current

-60

-45

-5

-80

-60

-5

I_C=-100µA

I_C=-10mA

I_E=-100µA

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-0.1

-10

V_CB=-45V

µA

-0.1

V_CB=-60V

V_CB=-45V,T_amb=100°C

V_CB=-60V,T_amb=100°C

V_EB=-4V

-10

-0.1

Emitter Cut-Off

Current

I_EBO

-0.1

Collector-Emitter

Saturation Voltage

Base-Emitter

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE(on)

h_FE

-0.15 -0.3

-0.28 -0.5

-0.15 -0.3

-0.28 -0.5

I_C=-1A, I_B=-100mA

I_C=-2A, I_B=-200mA

I_C=-1A, I_B=-100mA

-0.9

-1.25

-0.9

-1.25

Saturation Voltage

Base-Emitter

-0.8

-1

-0.8

-1

IC=-1A, V_CE=-2V

Turn-On Voltage

Static Forward

Current Transfer

Ratio

200

170

200

170

I_C=-50mA, V_CE=-2V*

I_C=-500mA,V_CE=-2V*

I_C=-1A, V_CE=-2V*

I_C=-2A, V_CE=-2V*

I_C=500mA, V_CC=10V

I_B1=I_B2=50mA

100

300

100

300

Switching Times

Output Capacitance

t_on

t_off

800

C_obo

V_CB=10V f=1MHz

3-257

12 3

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