ZTX751STOA

更新时间： 2024-11-24 23:35:59

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捷特科 - ZETEX		晶体小信号双极晶体管开关
页数	文件大小	规格书
3页	64K
描述
TRANSISTOR BIPOLAR

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ZTX751STOA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.1	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	2 A	基于收集器的最大容量：	30 pF
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	2.5 W	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	CECC	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

ZTX751STOA 数据手册

PNP SILICON PLANAR

ZTX750

ZTX751

MEDIUM POWER TRANSISTORS

ISSUE 2 JULY 94

FEATURES

60 Volt V_CEO

2 Amp continuous current

Low saturation voltage

P_tot= 1 Watt

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

ZTX750

-60

ZTX751

-80

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-45

-60

-5

-6

-2

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

I_C

Power Dissipation: at T_amb=25°C

derate above 25°C

P_tot

5.7

mW/°C

Operating and Storage Temperature Range

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

ZTX750

T_j:T_stg

-55 to +200

°C

= 25°C unless otherwise stated).

amb

ZTX751

PARAMETER

SYMBOL

UNIT CONDITIONS.

MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX.

Collector-Base

Breakdown

Voltage

V_(BR)CBO-60

V_(BR)CEO-45

V_(BR)EBO-5

I_CBO

-80

-60

-5

I_C=-100µA

I_C=-10mA

I_E=-100µA

Collector-Emitter

Breakdown

Voltage

Emitter-Base

Breakdown

Voltage

Collector Cut-Off

Current

-0.1

-10

V_CB=-45V

V_CB=-60V

V_CB=-45V,T =100°C

V_CB=-60V,T =100°C

µA

-0.1

-10

Emitter Cut-Off

Current

I_EBO

-0.1

V_EB=-4V

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

-0.15 -0.3

-0.28 -0.5

-0.15 -0.3

-0.28 -0.5

I_C=-1A, I_B=-100mA

I_C=-2A, I_B=-200mA

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

-0.9 -1.25

I_C=-1A, I_B=-100mA

3-257

12 3

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